机译:类似于SOI的硅膜上3D堆叠SRAM单元的CVD选择性外延横向过生长技术
机译:利用合并的外延横向过生长来形成薄单晶硅膜片的新方法,用于传感器应用
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机译:局限外延横向过长(CELO):在大面积Si衬底上可扩展集成CMOS兼容InGaAs绝缘体上MOSFET的新颖概念
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机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:ZrN / SiNx多层膜的外延横向生长过程中的自组织
机译:硅衬底上氮化镓(GaN)薄膜的大面积外延过量生长(LEO)及其表征